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| Numero di parte | FD800R17HP4KB2BOSA2 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Single Chopper |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800A |
| Potenza - Max | 5200W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 800A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 65nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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FD800R17HP4KB2BOSA2 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 1700V 800A | - | 66 | Dettagli |
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FD800R17KE3B2NOSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE 1700V 800A | - | 58 | Dettagli |
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FD800R17KF6CB2NOSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE 1700V 800A | - | 16210 | Dettagli |