FD800R17HP4KB2BOSA2

IGBT MODULE VCES 1700V 800A
FD800R17HP4KB2BOSA2 P1
FD800R17HP4KB2BOSA2 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ FD800R17HP4KB2BOSA2

Artikelnummer
FD800R17HP4KB2BOSA2
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT MODULE VCES 1700V 800A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer FD800R17HP4KB2BOSA2
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Single Chopper
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1700V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 800A
Leistung max 5200W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 800A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 65nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module

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