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| Numero di parte | BSC046N02KSGAUMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Ta), 80A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 50A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 110µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27.6nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 48W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSC046N02KS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 | - | 0 | Dettagli |
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BSC046N02KSGAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 | - | 113651 | Dettagli |
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BSC046N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 | - | 30000 | Dettagli |