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| Número de pieza | BSC046N02KSGAUMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 19A (Ta), 80A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 50A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 110µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 27.6nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.8W (Ta), 48W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 |
| Paquete / caja | 8-PowerTDFN |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSC046N02KS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 | - | 0 | Detalles |
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BSC046N02KSGAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 | - | 113651 | Detalles |
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BSC046N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 | - | 30000 | Detalles |