ZXMP6A16DN8TA

MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
ZXMP6A16DN8TA P1
ZXMP6A16DN8TA P1
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Diodes Incorporated ~ ZXMP6A16DN8TA

Numero di parte
ZXMP6A16DN8TA
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte ZXMP6A16DN8TA
Stato parte Active
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1021pF @ 30V
Potenza - Max 1.81W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP

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