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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | ZXMP6A16DN8TA |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.9A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 2.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 24.2nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1021pF @ 30V |
| Leistung max | 1.81W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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ZXMP6A13FQTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3 | - | 9000 | Einzelheiten |
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ZXMP6A13FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3 | - | 48000 | Einzelheiten |
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ZXMP6A13GQTA | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223 | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMP6A13GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223 | - | 24000 | Einzelheiten |
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ZXMP6A16DN8QTA | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC | 500 | Einzelheiten | |
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ZXMP6A16DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC | - | 3500 | Einzelheiten |
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ZXMP6A16DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC | 17500 | Einzelheiten | |
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ZXMP6A16GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH SOT223 | - | 0 | Einzelheiten |
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ZXMP6A16KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V DPAK | - | 5000 | Einzelheiten |
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ZXMP6A17DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC | - | 4500 | Einzelheiten |
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ZXMP6A17E6QTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6 | - | 6000 | Einzelheiten |
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ZXMP6A17E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6 | - | 63000 | Einzelheiten |