DMN61D9UDW-13

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
DMN61D9UDW-13 P1
DMN61D9UDW-13 P2
DMN61D9UDW-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN61D9UDW-13

Numero di parte
DMN61D9UDW-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte DMN61D9UDW-13
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 28.5pF @ 30V
Potenza - Max 320mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363

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