DMN61D9UDW-13

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
DMN61D9UDW-13 P1
DMN61D9UDW-13 P2
DMN61D9UDW-13 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Diodes Incorporated ~ DMN61D9UDW-13

Artikelnummer
DMN61D9UDW-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer DMN61D9UDW-13
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 350mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 28.5pF @ 30V
Leistung max 320mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363

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