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| Numero di parte | C2M1000170J |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.3A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 500µA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 1000V |
| Vgs (massimo) | +25V, -10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2A, 20V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK (7-Lead) |
| Pacchetto / caso | TO-263-7 (Straight Leads) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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C2M1000170D | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247 | - | 0 | Dettagli |
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C2M1000170J | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 | - | 2439 | Dettagli |
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C2M1000170J-TR | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 | - | 0 | Dettagli |