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| Número de pieza | C2M1000170J |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1700V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.3A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 500µA (Typ) |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 1000V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2A, 20V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D2PAK (7-Lead) |
| Paquete / caja | TO-263-7 (Straight Leads) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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C2M1000170D | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247 | - | 0 | Detalles |
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C2M1000170J | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 | - | 2439 | Detalles |
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C2M1000170J-TR | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 | - | 0 | Detalles |