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| Numéro d'article | VS-GA200HS60S1PBF |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Type d'IGBT | - |
| Configuration | Half Bridge |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 480A |
| Puissance - Max | 830W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.21V @ 15V, 200A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 1mA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 32.5nF @ 30V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | INT-A-Pak |
| Package de périphérique fournisseur | INT-A-PAK |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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VS-GA200HS60S1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 480A 830W | - | 0 | Détails |
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VS-GA200HS60S1PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK | - | 0 | Détails |
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