VS-ETL015Y120H

IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B
VS-ETL015Y120H P1
VS-ETL015Y120H P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-ETL015Y120H

Numéro d'article
VS-ETL015Y120H
Fabricant
Vishay Semiconductor Diodes Division
La description
IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- VS-ETL015Y120H PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article VS-ETL015Y120H
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench
Configuration -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 22A
Puissance - Max 89W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.03V @ 15V, 15A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 75µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 1.07nF @ 30V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas EMIPAK-2B
Package de périphérique fournisseur EMIPAK-2B

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