VS-40MT120UHAPBF

IGBT 1200V 80A 463W MTP
VS-40MT120UHAPBF P1
VS-40MT120UHAPBF P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-40MT120UHAPBF

Numéro d'article
VS-40MT120UHAPBF
Fabricant
Vishay Semiconductor Diodes Division
La description
IGBT 1200V 80A 463W MTP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- VS-40MT120UHAPBF PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article VS-40MT120UHAPBF
État de la pièce Active
Type d'IGBT NPT
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80A
Puissance - Max 463W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4.91V @ 15V, 80A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 8.28nF @ 30V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas 12-MTP Module
Package de périphérique fournisseur MTP

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