SQJ500AEP-T1_GE3

MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
SQJ500AEP-T1_GE3 P1
SQJ500AEP-T1_GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SQJ500AEP-T1_GE3

Numéro d'article
SQJ500AEP-T1_GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- SQJ500AEP-T1_GE3 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article SQJ500AEP-T1_GE3
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique -
Drain à la tension de source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 38.1nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1850pF @ 20V
Puissance - Max 48W
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas PowerPAK® SO-8 Dual
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual

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