Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
| Numéro d'article | SIS990DN-T1-GE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Standard |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 12.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 50V |
| Puissance - Max | 25W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Package de périphérique fournisseur | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS990DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8 | - | 0 | Détails |