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| Numéro d'article | SIA513DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 10V |
| Puissance - Max | 6.5W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Package de périphérique fournisseur | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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SIA511DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 | - | 0 | Détails |
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SIA513DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 | - | 0 | Détails |
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SIA517DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6 | - | 0 | Détails |
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SIA519EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 | - | 0 | Détails |