Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
| Numéro d'article | SIA106DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 12A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5 mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 30V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Paquet / cas | PowerPAK® SC-70-6 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA106DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70 | - | 174394 | Détails |