SI4501BDY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
SI4501BDY-T1-GE3 P1
SI4501BDY-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SI4501BDY-T1-GE3

Numéro d'article
SI4501BDY-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- SI4501BDY-T1-GE3 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article SI4501BDY-T1-GE3
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel, Common Drain
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V, 8V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 12A, 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 805pF @ 15V
Puissance - Max 4.5W, 3.1W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC

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