SI1563DH-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
SI1563DH-T1-E3 P1
SI1563DH-T1-E3 P1
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Vishay Siliconix ~ SI1563DH-T1-E3

Numéro d'article
SI1563DH-T1-E3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- SI1563DH-T1-E3 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article SI1563DH-T1-E3
État de la pièce Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1.13A, 880mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 570mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur SC-70-6 (SOT-363)

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