Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
| Numéro d'article | DF10M-E3/45 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Single Phase |
| La technologie | Standard |
| Tension - Peak Reverse (Max) | 1000V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 1A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | 4-EDIP (0.300", 7.62mm) |
| Package de périphérique fournisseur | DFM |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DF10-26S-2DSA(62) | Hirose Electric Co Ltd | CONN 26PIN THRU HOLE | - | 0 | Détails |
|
DF10-29S-2DSA(62) | Hirose Electric Co Ltd | CONN 29PIN THRU HOLE | - | 0 | Détails |
 |
DF10-31S-2DSA(59) | Hirose Electric Co Ltd | CONNECTOR 31 PIN FEMALE STRAIGHT | 0 | Détails | |
 |
DF10-31S-2DSA(62) | Hirose Electric Co Ltd | CONNECTOR 31 PIN FEMALE STRAIGHT | - | 1865 | Détails |
|
DF10-31S-2DSA(68) | Hirose Electric Co Ltd | CONN 31 PIN FEMALE STRAIGHT | - | 0 | Détails |
 |
DF10-G | Comchip Technology | RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DF | 2975 | Détails | |
 |
DF1000R17IE4BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE 1700V 1000A | - | 119 | Détails |
|
DF1000R17IE4DB2BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE 1700V 1000A | - | 107 | Détails |
|
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Infineon Technologies | MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2 | - | 1346 | Détails |
|
DF100R07W1H5FPB54BPSA2 | Infineon Technologies | LOW POWER EASY | - | 1317 | Détails |
 |
DF10G5M4N,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TVS DIODE 3.6VWM 24VC 10DFN | - | 6000 | Détails |
 |
DF10G6M4N,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN | - | 3000 | Détails |