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| Numéro d'article | TPH3208LSG |
|---|---|
| État de la pièce | Not For New Designs |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 650V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 14A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 300µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 8V |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 400V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 96W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 3-PQFN (8x8) |
| Paquet / cas | 3-PowerDFN |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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