TC58BVG1S3HTAI0

IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP
TC58BVG1S3HTAI0 P1
TC58BVG1S3HTAI0 P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TC58BVG1S3HTAI0

Numéro d'article
TC58BVG1S3HTAI0
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- TC58BVG1S3HTAI0 PDF online browsing
Famille
Mémoire
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Numéro d'article TC58BVG1S3HTAI0
État de la pièce Active
Type de mémoire Non-Volatile
Format de la mémoire EEPROM
La technologie EEPROM - NAND
Taille mémoire 2Gb (256M x 8)
Fréquence d'horloge -
Écrire un temps de cycle - Word, Page 25ns
Temps d'accès 25ns
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 2.7 V ~ 3.6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Package de périphérique fournisseur 48-TSOP I

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