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| Numéro d'article | SSM6N39TU,LF |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Standard |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 119 mOhm @ 1A, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 260pF @ 10V |
| Puissance - Max | 500mW |
| Température de fonctionnement | 150°C |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 6-SMD, Flat Leads |
| Package de périphérique fournisseur | UF6 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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SSM6322ACPZ-R2 | Analog Devices Inc. | IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP | 250 | Détails | |
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SSM6322ACPZ-R7 | Analog Devices Inc. | IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP | 9000 | Détails | |
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SSM6322ACPZ-RL | Analog Devices Inc. | IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP | 35000 | Détails | |
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SSM6H19NU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN | - | 0 | Détails |
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SSM6J206FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 2A ES6 | 4000 | Détails | |
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SSM6J207FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6 | - | 0 | Détails |
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SSM6J212FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 4A ES6 | - | 0 | Détails |
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SSM6J213FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 20V 2.6A ES6 | - | 4000 | Détails |
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SSM6J214FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH | - | 623675 | Détails |
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SSM6J215FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 20V 3.4A ES6 | - | 12000 | Détails |
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SSM6J216FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6 | - | 498940 | Détails |
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SSM6J409TU(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6 | - | 0 | Détails |