SSM3J353F,LF

X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE
SSM3J353F,LF P1
SSM3J353F,LF P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM3J353F,LF

Numéro d'article
SSM3J353F,LF
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- SSM3J353F,LF PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article SSM3J353F,LF
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.4nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 159pF @ 15V
Vgs (Max) +20V, -25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 2A, 10V
Température de fonctionnement 150°C
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur S-Mini
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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