RN4907FE,LF(CT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4907FE,LF(CT P1
RN4907FE,LF(CT P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ RN4907FE,LF(CT

Numéro d'article
RN4907FE,LF(CT
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- RN4907FE,LF(CT PDF online browsing
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
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Numéro d'article RN4907FE,LF(CT
État de la pièce Active
Type de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition 250MHz, 200MHz
Puissance - Max 100mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur ES6

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