DF2B6USL,L3F

ESD DIODE BI-DIRECTIONAL
DF2B6USL,L3F P1
DF2B6USL,L3F P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ DF2B6USL,L3F

Numéro d'article
DF2B6USL,L3F
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
ESD DIODE BI-DIRECTIONAL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- DF2B6USL,L3F PDF online browsing
Famille
TVS - Diodes
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Numéro d'article DF2B6USL,L3F
État de la pièce Active
Type Zener
Canaux unidirectionnels -
Canaux bidirectionnels 1
Tension - Inverser l'écart (Typ) 5.5V (Max)
Tension - Panne (Min) 5.7V
Tension - Serrage (Max) @ Ipp 20V
Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs) 1.5A (8/20µs)
Puissance - Impulsion de crête 30W
Protection de ligne électrique No
Applications -
Capacité @ Fréquence 1.5pF @ 1MHz
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 2-XFDFN
Package de périphérique fournisseur SL2

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