CMS10I30A(TE12L,QM

DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
CMS10I30A(TE12L,QM P1
CMS10I30A(TE12L,QM P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ CMS10I30A(TE12L,QM

Numéro d'article
CMS10I30A(TE12L,QM
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article CMS10I30A(TE12L,QM
État de la pièce Active
Type de diode Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 30V
Courant - Rectifié moyen (Io) 1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 360mV @ 1A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 100µA @ 30V
Capacitance @ Vr, F 82pF @ 10V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOD-128
Package de périphérique fournisseur M-FLAT (2.4x3.8)
Température de fonctionnement - Jonction 150°C (Max)

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