CMH07(TE12L,Q,M)

DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT
CMH07(TE12L,Q,M) P1
CMH07(TE12L,Q,M) P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ CMH07(TE12L,Q,M)

Numéro d'article
CMH07(TE12L,Q,M)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article CMH07(TE12L,Q,M)
État de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Courant - Rectifié moyen (Io) 2A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 980mV @ 2A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 100ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 10µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F -
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOD-128
Package de périphérique fournisseur M-FLAT (2.4x3.8)
Température de fonctionnement - Jonction -40°C ~ 150°C

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