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| Numéro d'article | CSD25304W1015 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.15V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 595pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 6-DSBGA |
| Paquet / cas | 6-UFBGA, DSBGA |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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CSD25201W15 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | 0 | Détails | |
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CSD25202W15 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | - | 3000 | Détails |
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CSD25202W15T | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | - | 250 | Détails |
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CSD25211W1015 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA | - | 0 | Détails |
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CSD25213W10 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA | - | 0 | Détails |
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CSD25301W1015 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA | 0 | Détails | |
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CSD25302Q2 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 5A 6SON | 0 | Détails | |
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CSD25303W1015 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA | 0 | Détails | |
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CSD25304W1015 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA | - | 0 | Détails |
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CSD25304W1015T | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA | - | 2000 | Détails |
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CSD25310Q2 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 48A 6SON | - | 0 | Détails |
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CSD25310Q2T | Texas Instruments | 20-V P-CHANNEL NEXFET POWER MOSF | - | 170005 | Détails |