BQ4011YMA-100

IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28DIP
BQ4011YMA-100 P1
BQ4011YMA-100 P1
Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

Texas Instruments ~ BQ4011YMA-100

Numéro d'article
BQ4011YMA-100
Fabricant
Texas Instruments
La description
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
BQ4011YMA-100.pdf BQ4011YMA-100 PDF online browsing
Famille
Mémoire
  • En stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence : submit a request

Soumettez une demande d'offre sur des quantités supérieures à celles affichées.

Produit Paramètre

Tous les produits

Numéro d'article BQ4011YMA-100
État de la pièce Obsolete
Type de mémoire Non-Volatile
Format de la mémoire NVSRAM
La technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Taille mémoire 256Kb (32K x 8)
Fréquence d'horloge -
Écrire un temps de cycle - Word, Page 100ns
Temps d'accès 100ns
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 4.5 V ~ 5.5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Package de périphérique fournisseur 28-DIP Module (18.42x37.72)

Produits connexes

Tous les produits