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| Numéro d'article | N06DB102J |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Type | - |
| Matériel - Noyau | - |
| Inductance | 1mH |
| Tolérance | ±5% |
| Note actuelle | 160mA |
| Courant - Saturation | - |
| Blindage | Unshielded |
| Résistance DC (DCR) | 8.2 Ohm Max |
| Q @ Freq | - |
| Fréquence - Self Resonant | 2.1MHz |
| Évaluations | - |
| Température de fonctionnement | -25°C ~ 105°C |
| Fréquence - Test | 1kHz |
| Caractéristiques | - |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | Nonstandard |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Taille / Dimension | 0.295" L x 0.287" W (7.50mm x 7.30mm) |
| Hauteur - Assis (Max) | 0.126" (3.20mm) |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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N06 080 0003 1 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | - | 0 | Détails |
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N06 080 0003 2 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | - | 0 | Détails |
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N06 080 0003 3 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | - | 0 | Détails |
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N06 080 0003 4 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | - | 0 | Détails |
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N0601N-ZK-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 | - | 0 | Détails |
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N0602N-S19-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 | - | 0 | Détails |
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N0603N-S23-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-262 | - | 0 | Détails |
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N0604N-S19-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 82A TO-220 | - | 0 | Détails |
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N06DB100K | Taiyo Yuden | FIXED IND 10UH 1.7A 79 MOHM SMD | 0 | Détails | |
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N06DB101K | Taiyo Yuden | FIXED IND 100UH 600MA 680 MOHM | 0 | Détails | |
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N06DB102J | Taiyo Yuden | FIXED IND 1MH 160MA 8.2 OHM SMD | 0 | Détails | |
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N06DB150K | Taiyo Yuden | FIXED IND 15UH 1.3A 120 MOHM SMD | 0 | Détails |