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| Numéro d'article | TSM085P03CS RLG |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 34A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3216pF @ 15V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 14W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 8-SOP |
| Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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TSM080N03EPQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN | - | 322149 | Détails |
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TSM080N03PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 30V 73A 8PDFN | - | 322149 | Détails |
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TSM085N03PQ33 RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN | - | 357353 | Détails |
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TSM085P03CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET P-CHANNEL 30V 34A 8SOP | - | 271812 | Détails |
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TSM089N08LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN | - | 117666 | Détails |