ES1B R3G

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
ES1B R3G P1
ES1B R3G P1
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Taiwan Semiconductor Corporation ~ ES1B R3G

Numéro d'article
ES1B R3G
Fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
La description
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article ES1B R3G
État de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Courant - Rectifié moyen (Io) 1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 950mV @ 1A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 35ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 5µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F 16pF @ 4V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas DO-214AC, SMA
Package de périphérique fournisseur DO-214AC (SMA)
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C

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