Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
| Numéro d'article | STWA50N65DM2AG |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 650V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 38A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 87 mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 100V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 300W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247 |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STWA50N65DM2AG | STMicroelectronics | POWER TRANSISTORS | - | 12875 | Détails |
 |
STWA57N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 42A TO247 | - | 117 | Détails |