STT3P2UH7

MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-6
STT3P2UH7 P1
STT3P2UH7 P1
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STMicroelectronics ~ STT3P2UH7

Numéro d'article
STT3P2UH7
Fabricant
STMicroelectronics
La description
MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article STT3P2UH7
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.8nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-23-6
Paquet / cas SOT-23-6

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