STS9P2UH7

MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
STS9P2UH7 P1
STS9P2UH7 P1
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STMicroelectronics ~ STS9P2UH7

Numéro d'article
STS9P2UH7
Fabricant
STMicroelectronics
La description
MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article STS9P2UH7
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2390pF @ 16V
Vgs (Max) ±8V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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