STS3DNE60L

MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
STS3DNE60L P1
STS3DNE60L P1
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STMicroelectronics ~ STS3DNE60L

Numéro d'article
STS3DNE60L
Fabricant
STMicroelectronics
La description
MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article STS3DNE60L
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 13.5nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 815pF @ 25V
Puissance - Max 2W
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO

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