STPSC1006G-TR

DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
STPSC1006G-TR P1
STPSC1006G-TR P2
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STMicroelectronics ~ STPSC1006G-TR

Numéro d'article
STPSC1006G-TR
Fabricant
STMicroelectronics
La description
DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article STPSC1006G-TR
État de la pièce Obsolete
Type de diode Silicon Carbide Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Courant - Rectifié moyen (Io) 10A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.7V @ 10A
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 150µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F 650pF @ 0V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de périphérique fournisseur D²PAK
Température de fonctionnement - Jonction -40°C ~ 175°C

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