STP30NM30N

MOSFET N-CH 300V 30A TO-220
STP30NM30N P1
STP30NM30N P1
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STMicroelectronics ~ STP30NM30N

Numéro d'article
STP30NM30N
Fabricant
STMicroelectronics
La description
MOSFET N-CH 300V 30A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article STP30NM30N
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 300V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 15A, 10V
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220AB
Paquet / cas TO-220-3

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