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| Numéro d'article | CIG32H2R2MNE |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type | Multilayer |
| Matériel - Noyau | - |
| Inductance | 2.2µH |
| Tolérance | ±20% |
| Note actuelle | 1.6A |
| Courant - Saturation | 2.9A |
| Blindage | Shielded |
| Résistance DC (DCR) | 125 mOhm |
| Q @ Freq | - |
| Fréquence - Self Resonant | - |
| Évaluations | - |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
| Fréquence - Test | 1MHz |
| Caractéristiques | - |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 1210 (3225 Metric) |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Taille / Dimension | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Hauteur - Assis (Max) | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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CIG32H2R2MNE | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | FIXED IND 2.2UH 1.6A 125 MOHM | - | 0 | Détails |
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CIG32W1R0MNE | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | FIXED IND 1UH 1.5A 60 MOHM SMD | - | 0 | Détails |