SP8M4FU6TB

MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
SP8M4FU6TB P1
SP8M4FU6TB P1
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Rohm Semiconductor ~ SP8M4FU6TB

Numéro d'article
SP8M4FU6TB
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article SP8M4FU6TB
État de la pièce Not For New Designs
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 9A, 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 10V
Puissance - Max 2W
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOP

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