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| Numéro d'article | RSQ015P10TR |
|---|---|
| État de la pièce | Not For New Designs |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 1.5A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 600mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 470 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | TSMT6 (SC-95) |
| Paquet / cas | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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RSQ015N06TR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6 | - | 0 | Détails |
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