RRS075P03TB1

MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOIC
RRS075P03TB1 P1
RRS075P03TB1 P2
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Rohm Semiconductor ~ RRS075P03TB1

Numéro d'article
RRS075P03TB1
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- RRS075P03TB1 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article RRS075P03TB1
État de la pièce Not For New Designs
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 7.5A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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