RGW00TS65GC11

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGW00TS65GC11 P1
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Rohm Semiconductor ~ RGW00TS65GC11

Numéro d'article
RGW00TS65GC11
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- RGW00TS65GC11 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article RGW00TS65GC11
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 96A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Puissance - Max 254W
Échange d'énergie 1.18mJ (on), 960µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 141nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 52ns/180ns
Condition de test 400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247N

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