RF4E110GNTR

MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
RF4E110GNTR P1
RF4E110GNTR P1
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Rohm Semiconductor ~ RF4E110GNTR

Numéro d'article
RF4E110GNTR
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article RF4E110GNTR
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 11A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 504pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.3 mOhm @ 11A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 6-HUML2020L8 (2x2)
Paquet / cas 8-PowerUDFN

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