QS6J11TR

MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
QS6J11TR P1
QS6J11TR P1
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Rohm Semiconductor ~ QS6J11TR

Numéro d'article
QS6J11TR
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article QS6J11TR
État de la pièce Active
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 6V
Puissance - Max 600mW
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de périphérique fournisseur TSMT6 (SC-95)

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