IMD16AT108

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
IMD16AT108 P1
IMD16AT108 P2
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Rohm Semiconductor ~ IMD16AT108

Numéro d'article
IMD16AT108
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
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Numéro d'article IMD16AT108
État de la pièce Active
Type de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA, 500mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 100k, 2.2k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 22k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) -
Fréquence - Transition 250MHz
Puissance - Max 300mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-74, SOT-457
Package de périphérique fournisseur SMT6

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