BSM300D12P2E001

MOSFET 2N-CH 1200V 300A
BSM300D12P2E001 P1
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Rohm Semiconductor ~ BSM300D12P2E001

Numéro d'article
BSM300D12P2E001
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article BSM300D12P2E001
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 300A
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 68mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 35000pF @ 10V
Puissance - Max 1875W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module

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