RJP65T54DPM-A0#T2

IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
RJP65T54DPM-A0#T2 P1
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Renesas Electronics America ~ RJP65T54DPM-A0#T2

Numéro d'article
RJP65T54DPM-A0#T2
Fabricant
Renesas Electronics America
La description
IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article RJP65T54DPM-A0#T2
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 60A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.68V @ 15V, 30A
Puissance - Max 63.5W
Échange d'énergie 330µJ (on), 760µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 72nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 35ns/120ns
Condition de test 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas SC-94
Package de périphérique fournisseur TO-3PFP

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