NSVMUN5132T1G

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
NSVMUN5132T1G P1
NSVMUN5132T1G P1
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ON Semiconductor ~ NSVMUN5132T1G

Numéro d'article
NSVMUN5132T1G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- NSVMUN5132T1G PDF online browsing
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
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Numéro d'article NSVMUN5132T1G
État de la pièce Active
Type de transistor PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 4.7k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 202mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-70, SOT-323
Package de périphérique fournisseur SC-70-3

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